EVG®770的特征：微透鏡用于晶片級光學(xué)器件的高效率制造主下降到納米結(jié)構(gòu)為SmartNIL®簡單實(shí)施不同種類的大師可變抗蝕劑分配模式分配，壓印和脫模過程中的實(shí)時(shí)圖像用于壓印和脫模的原位力控制可選的光學(xué)楔形誤差補(bǔ)償可選的自動盒帶間處理EVG®770技術(shù)數(shù)據(jù)：晶圓直徑（基板尺寸）：100至300毫米解析度：≤50nm（分辨率取決于模板和工藝）支持流程：柔軟的UV-NIL曝光源：大功率LED（i線）>100mW/cm2對準(zhǔn)：頂側(cè)顯微鏡，用于實(shí)時(shí)重疊校準(zhǔn)≤±500nm和精細(xì)校準(zhǔn)≤±300nm手個(gè)印刷模具到模具的放置精度：≤1微米有效印記區(qū)域：長達(dá)50x50毫米自動分離：支持的前處理：涂層：液滴分配（可選）。步進(jìn)重復(fù)納米壓印光刻可以從蕞大50mmx50mm的小模具到蕞大300mm基板尺寸的大面積均勻復(fù)制模板。微接觸納米壓印有哪些品牌

納米壓印光刻（NIL）技術(shù)EVG是納米壓印光刻（NIL）設(shè)備和集成工藝的市場lingxian供應(yīng)商。EVG從19年前的研究方法中率先掌握了NIL，并實(shí)現(xiàn)了從2英寸化合物半導(dǎo)體晶圓到300mm晶圓甚至大面積面板的各種尺寸基板的批量生產(chǎn)。NIL是產(chǎn)生納米尺度分辨率圖案的ZUI有前途且ZUI具成本效益的工藝，可用于生物MEMS，微流體，電子學(xué)以及ZUI近各種衍射光學(xué)元件的各種商業(yè)應(yīng)用。其中EVG紫外光納米壓印系統(tǒng)型號包含：EVG®610EVG®620NTEVG®6200NTEVG®720EVG®7200EVG®7200LAHERCULES®NILEVG®770IQAligner®熱壓納米壓抑系統(tǒng)型號包含：EVG®510HEEVG®520HE詳細(xì)的參數(shù)，請聯(lián)系我們岱美有限公司。微接觸納米壓印有哪些品牌EVG紫外光納米壓印系統(tǒng)有： EVG?610，EVG?620NT，EVG?6200NT，EVG?720，EVG?7200等。

EVG®620NT特征：頂部和底部對準(zhǔn)能力高精度對準(zhǔn)臺自動楔形補(bǔ)償序列電動和程序控制的曝光間隙支持ZUI新的UV-LED技術(shù)ZUI小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求分步流程指導(dǎo)遠(yuǎn)程技術(shù)支持多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言）敏捷處理和轉(zhuǎn)換工具臺式或帶防震花崗巖臺的單機(jī)版EVG®620NT附加功能：鍵對準(zhǔn)紅外對準(zhǔn)SmartNILμ接觸印刷技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）標(biāo)準(zhǔn)光刻：ZUI大150毫米的碎片柔軟的UV-NIL：ZUI大150毫米的碎片SmartNIL®：在100毫米范圍解析度：≤40nm（分辨率取決于模板和工藝）支持流程：軟UV-NIL＆SmartNIL®曝光源：汞光源或紫外線LED光源對準(zhǔn)：軟NIL：≤±0.5μmSmartNIL®：≤±3微米自動分離：柔紫外線NIL：不支持；SmartNIL®：支持工作印章制作：柔軟的UV-NIL：外部：SmartNIL®：支持

UV納米壓印光刻EVGroup提供完整的UV納米壓印光刻（UV-NIL）產(chǎn)品線，包括不同的權(quán)面積壓印系統(tǒng)，大面積壓印機(jī)，微透鏡成型設(shè)備以及用于高效母版制作的分步重復(fù)系統(tǒng)。除了柔軟的UV-NIL，EVG還提供其專有的SmartNIL技術(shù)以及多用途的聚合物印模技術(shù)。高效，強(qiáng)大的SmartNIL工藝可提供高圖案保真度，高度均勻的圖案層和蕞少的殘留層，并具有易于擴(kuò)展的晶圓尺寸和產(chǎn)量。EVG的SmartNI技術(shù)達(dá)到了納米壓印的長期預(yù)期，即納米壓印是一種用于大規(guī)模生產(chǎn)微米和納米級結(jié)構(gòu)的高性能，低成本和具有批量生產(chǎn)能力的技術(shù)。納米壓印是一種利用納米技術(shù)進(jìn)行壓印的方法。

SmartNIL是行業(yè)領(lǐng)仙的NIL技術(shù)，可對小于40nm*的極小特征進(jìn)行圖案化，并可以對各種結(jié)構(gòu)尺寸和形狀進(jìn)行圖案化。SmartNIL與多用途軟戳技術(shù)相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)無人能比的吞吐量，并具有顯著的擁有成本優(yōu)勢，同時(shí)保留了可擴(kuò)展性和易于維護(hù)的操作。EVG的SmartNIL兌現(xiàn)了納米壓印的長期前景，即納米壓印是一種用于大規(guī)模制造微米級和納米級結(jié)構(gòu)的低成本，大批量替代光刻技術(shù)。*分辨率取決于過程和模板如果需要詳細(xì)的信息，請聯(lián)系岱美儀器技術(shù)服務(wù)有限公司。EVG620 NT支持多種標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝，例如真空，軟，硬和接近曝光模式，以及背面對準(zhǔn)選項(xiàng)。微接觸納米壓印有哪些品牌

分步重復(fù)刻印通常用于高效制造晶圓級光學(xué)器件或EVG的Smart NIL工藝所需的母版。微接觸納米壓印有哪些品牌

納米壓印光刻設(shè)備-處理結(jié)果：新應(yīng)用程序的開發(fā)通常與設(shè)備功能的提高緊密相關(guān)。EVG的NIL解決方案能夠產(chǎn)生具有納米分辨率的多種不同尺寸和形狀的圖案，并在顯示器，生物技術(shù)和光子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了許多新的創(chuàng)新。HRISmartNIL®壓印上的單個(gè)像素的1.AFM圖像壓印全息結(jié)構(gòu)的AFM圖像資料來源：EVG與SwissLithoAG合作（歐盟項(xiàng)目SNM）2.通過熱壓花在PMMA中復(fù)制微流控芯片資料來源：EVG3.高縱橫比（7：1）的10μm柱陣列由加拿大國家研究委員會提供4.L/S光柵具有優(yōu)化的殘留層，厚度約為10nm資料來源：EVG5.紫外線成型鏡片300μm資料來源：EVG6.光子晶體用于LED的光提取多晶硅的蜂窩織構(gòu)化（mc-Si）由FraunhoferISE提供7.金字塔形結(jié)構(gòu)50μm資料來源：EVG8.蕞小尺寸的光模塊晶圓級封裝資料來源：EVG9.光子帶隙傳感器光柵 資料來源：EVG（歐盟Saphely項(xiàng)目）10.在強(qiáng)光照射下對HRISmartNIL®烙印進(jìn)行完整的晶圓照相 資料來源：EVG微接觸納米壓印有哪些品牌

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